IDM 6.23 build 10 + crack patch kaygen

Internet Download Manager 6.25 build 2 with crack patch kayen, IDM 6.23 build 10 + crack patch kaygen, software free, software gratis, aplikasi gratis, aplication free, patch idm, crak idm, patch idm, full free, full gratis

Internet Download Manager mengeluarkan versi terbarunya Internet Download Manager versi 6.26 Build 2. IDM 6.25 Build 2 Full merupakan software yang biasa digunakan para downloader karena fungsi software ini dapat mempercepat dalam mendownload file yang diinginkan. Kecepatan IDM ini lebih stabil dan cepat hingga 5 kali dari pada mendownload dari tempat browser seperti Internet Explorer, Chrome, Mozilla, Tourch, Safari dan lainnya.  IDM juga memiliki kelebihan dari fitur-fiturnya yaitu dapat di pause-resume download, schecdule download file, dan lain-lain.

Cara Install :

1.       Download IDM 6.25 Build 2

2. Ekstrak file yang sudah didownload tadi

3.Disable/Matikan antivirus telebih dahulu, karena biasanya antivirus mendetek file patch/caracksebagai virus

4. Buka folder IDM 6.25 Build 2, lalu jalankan installer IDM dan install seperti biasa

5. Buka folder crack  dan copy semua file yang ada di folder tersebut

6. Paste di folder instalasi IDM (ex : C:\Program Files\Internet Download Manager/) atau (ex : C:\Program Files (x86)\Internet Download Manager/) 

7.    Selesai Instalasi IDM

Silakan download dibawah ini :

DOWNLOAD 

Read More

TEOREMA RUMUS THEVENIN DAN NORTON

Sebuah teorema merupakan pernyataan yang dapat dibuktikan secara matematis. Karena itu ia bukanlah definisi atau hukum. Malvino menggolongkannya sebagai turunan.

Tegangan Thevenin (V_TH) disebut juga tegangan open circuit dan hambatan Thevenin disebut sebagai hambatan yang terukur oleh ohmmeter pada terminal beban, bila semua sumber direduksi menjadi nol dan hambatan dilepas.

Mereduksi sumber menjadi nol, memiliki beda pengertian antara sumber tegangan dan sumber arus. Bila kita mereduksi sumber tegangan manjadi nol, artinya secara efektif kita gantikan ia dengan cara menghubungkannya (short), karena dengan cara inilah kita dapat menjamin bahwa tegangan nol saat arus mengalir melalui sumber tegangan. Lain halnya dengan sumber arus, kita justru membukanya, bila menginginkan direduksi manjadi nol, karena dengan cara ini dijamin arus nol.

Teorema Thevenin mampu membuktikan, bahwa serumit apapun rangkaian dalam kotak hitam, dapat digantikan dan menghasilkan arus yang sama:

Teorema ini mampu cara bekerjanya rangkaian yang tidak mungkin dijelaskan bila hanya menggunakan hokum Kirchoff.

Teorema Norton dapat diturunkan dari prinsip dualitas/lawan. Prinsip ini menyatakan bahwa analisa rangkaian listrik ebuah besaran memiliki besaran lawan.

§  Tegangan                  <>        Arus

§  Sumber Tegangan    <>        Sumber Arus

§  Seri                           <>        Paralel

§  Hmabatan seri          <>        Hambatan parallel

Read More

KARAKTERISTIK MACAM-MACAM DIODA

     DIODA

Dalam bidang elektronika seringkali diperlukan suatu komponen yang mengalirkan arus jika diberi beda potensial pada satu arah (Forward Bias) dan sebaliknya tidak mengalirkan arus jika diberi beda potensial pada arah yang berlawanan (Reverse Bias). Komponen yang memiliki karakteristik tersebut adalah DIODA.

Untuk tegangan yang tidak terlalu tinggi orang banyak menggunakan dioda yang terbuat dari bahan semikonduktor (dalam hal ini germanium dan silicon). Sedangkan untuk tegangan tinggi digunakan dioda vakum. Dalam percobaan ini kita menyelidiki sifat-sifat dari penggunaan dioda dari bahan semikonduktor saja.

Dioda merupakan komponen elektronika yang terbuat dari 2 lapisan semikonduktor yang berbeda jenis dopingnya (lapisan N dan P). Simbol dari dioda seperti terlihat pada gambar 2.1.

Dioda akan mengalirkan arus bila diberi beda potensial dimana kaki anoda lebih positif dari katoda dan tidak akan mengeluarkan arus jiak sebaliknya yaitu kaki anoda lebih negatif dari katoda.

Diatas adalah lambang skematik dari dioda. Sisi p disebut anoda dan sisi n disebut katoda. Dalam pembuatan sirkuit dioda, dioda dapat dibalik-balik sisinya sehingga dalam sirkuit dioda ada yang namanya dioda forward dan dioda reverse. Pada dioda forward sisi p terhubung kepada terminal positif dari baterai dan sisi n terhubung ke terminal negatif dari baterai. Sementara untuk dioda reverse dipasang berkebalikan dari dioda reverse yaitu sisi p terhubung ke terminal negatif dan sisi n terhubung ke sisi positif.

Dalam dioda ada yang namanya tegangan lutut yaitu tegangan dimana jika arus telah tegangan ini arus tersebut akan meningkat secara cepat. Tegangan lutut sama saja dengan tegangan penghalang karena menghalangi jalannya arus dan tegangan. Analisis dari sirkuit dioda biasanya digunakan untuk untuk menentukan apakah tegangan dioda lebih banyak atau lebih sedikit dari tegangan lutut. Jika lebih, dioda akan mudah mengkonduksi. Jika kurang, dioda akan sulit mengkonduksi. Tegangan lutut dari dioda silicon adalah:

V_K = 0,7 V

Perhitungan menggunakan tegangan lutut ini disebut pendekatan kedua Karena nilai tegangan lutut dimasukkan dalam perhitungan analisis rangkaian. Dalam beberapa aplikasi mengguanakan dioda, digunakan dioda germanium Karena tegangan lutut dari dioda germanium mendekati 0,3 V sehingga ada keuntungan dan perhitungan tersendiri dalam menggunakannya.

Grafik kurva dari dioda

 Pada dioda, selain tegangan lutut ada yang namanya hambatan bulk, yaitu jumlah dari hambatan area p dan hambatan area n. Dirumuskan sebagai berikut:

R_B = R_P + R_N

Hambatan bulk tergantung pada besar dari area p dan area n, dan seberapa banyak p dan didoping. Biasanya hambatan bulk kurang dari 1 W. Pada analisis rangkaian, digunakan pada pendekatan ketiga.

Dioda Zener

Variasi khusus dari dioda semikonduktor adalah Dioda Zener. Dioda Zener adalah dioda khusus yang dirancang untuk bekerja pada daerah breakdown.

Dioda ini paling utama bermain sebagai komponen rangkaian regulator tegangan yang menjaga agar tegangan bebas konstan. Secara ideal zener berlaku seolah-olah baterai sempurna. Sedang pada aproksimasi selanjutnya, ia memiliki hambatan bulk yang menghasilkan tambahan kecil tegangan.

Dioda zener dapat diaplikasikan untuk rangkaian regulator, protector, peak clipper, dst.

Untuk mengetahui bahwa dioda zener dioperasikan pada daerah breakdown dengan menghitung tegangan thevenin pada dioda (dengan melepas dioda zener tersebut). Bila tegangan thevenin lebih besar dari tegangan zener, maka regulator bekerja.

Dengan posisi dioda zener parallel terhadap hambatan beban, maka arus yang melewati hambatan pembatas arus (current limiting resistor) akan sama dengan jumlah arus beban dan arus zener. Besar arus dioda zener tidak bergantung pada besarnya hambatan dalamnya (non ohmic).

Read More

APLIKASI RANGKAIAN DIODA DAN PRINSIP KERJA

Kebanyakan alat-alat elektronik seperti TV, stereo dan komputer membutuhkan tegangan DC. Karena tegangan PLN adalah bolak-balik, kita perlu mengubah tegangan AC menjadi DC. Bagian lelektronik yang menghasilkan tegengan DC disebut dengan power supply. Dalam power supply, ada rangkaian yang membuat arus hanya mengalir satu arah, yang disebut rectifier, penyearah.

Untuk di Indonesia, PLN menyuplai daya listrik dengan tegangan 220 Vrms dan frekuensi 50 Hz. Tegangan yang sebenarnya sampai kepada konsumen dapat bervariasi, tergantung pada wktu (adanya waktu beban puncak) dan lokasi. Sudah menjadi rahasia umum, di daerah tertentu, tegangan PLN bisa anjlok hingga 180 Vrms, yang dapat merusak alat-alat elektronik.

Besarnya tegangan yang disuplai PLN masih terlalu tinggi, bagi kebanyakan rangkaian yang digunakan alat elektronik. Diperlukan trafo yang akan menurunkan level tegangan sampai pada posisi aman digunakan pada penggunaan dioda, transistor dan semikonduktor lainnya.

Penggunaan transformator pada rangkaian listrik berguna untuk merubah tegangan yang berasal dari PLN yaitu 220 Vrms menjadi tegangan yang aman digunakan pada lat-alat elektronik. Karena tegangan PLN adalah tegangan bolak-balik maka tegangan keluaran dari transformator juga merupakan tegangan AC yang selanjutnya akan dirubah menjadi tegangan DC oleh dioda-dioda pada rangkaian elektronik.

1. Half-Wave Rectifier

Half-Walf Rectifier adalah rangkaian seri dari dioda dengan hambatan beban. Tegangan beban adalah gelombang sinusoidal half-wave yang telah direktifikasi (disearahkan). Dimana nilai peaknya secara aproksimasi sama dengan peak dari tegangan input (jika menggunakan transformator maka tegangan yang diperhatikan adalah tegangan sekunder). Nilai rata-rata tegangan beban disebut juga nilai dc adalah sebesar 31,8 % dari tegangan puncak beban.

V_dc = 0,318 V_p

Frekuensi ripple yang terjadi pada HWR atau Bridge Rectifier ini adalah sama dengan frekuensi line.

f_out = f_in

Pada HWR hasil dari tegangan beban yang merupakan keluaran, memiliki bentuk setengah gelombang jika tegangan masukannya berupa gelombang sinusoidal. Pada HWR arus yang dihasilkan berupa arus searah. Keluaran dari HWR ini bukanlah tegangan DC yang diinginkan untuk peralatan elektronik karena yang diperlukan untuk peralatan elektronik adalah tegangan yang konstan, tegangan yang sama yang dihasilkan oleh batere.

Jika menggunakan pendekatan kedua, potensial penghalang yaitu 0,7 V masuk dalam penurunan rumusnya menjadi

V_p(out) = V_p(in) – 0,7 V

Gbr a.Half-Wave Rectifier

2. Full-Wave Rectifier

Full-Wave Rectifier berisi transformer centertapped dengan 2 dioda dan sebuah hambatan beban. Tegangan beban berupa gelombang sinus half-wave yang telah disearahkan dengan nilai peaknya secara aproksimasi sama dengan setengah puncak dari tegangan sekunder.

V_dc = 0.636 V_p

Frekuensi ripple yang terjadi pada FWR adalah sebesar 2 kali frekuensi sumber.

f_out = 2 f_in

Full-Wave Rectifier sama saja dengan dua half-wave rectifier. Akibat dari center tap, masing-masing rectifier mempunyai tegangan masuksama dengan setengah tegangan sekunder.

Pada full-wave rectifier perhitungan menggunakan pendekatan kedua maka menjadi

V_p(out) = V_p(in) – 0,7 V

Gbr b. Full-Wave Rectifier

3. Bridge Rectifier

Bridge Rectifier berisi 4 dioda. Tegangan bebannya berupa gelombang sinus full-wave yang telah diarahkan dengan nilai peaknya secara aproksimasi sama dengan nilai tegangan sekundernya. Nilai dc atau rata-rata tegangan pada beban adalah sebesar 63,6 % tegangan peak beban.

Bridge rectifier memiliki kesamaan pada full-wave rectifier karena bridge rectifier menghasilkan tegangan keluaran yang sama dengan full-wave.

Keuntungan menggunakan tipe dari full-wave yang melalui center-tapped bahwa seluruh tegangan sekunder dapat digunakan.

Pendekatan kedua untuk bridge rectifier adalah

V_p(out) = V_p(in) – 1,4 V

Gbr c. Bridge Rectifier

4. Voltage Multiplier

Voltage Multiplier adalah 2 atau lebih penyearah yang menghasilkan sebuah tegangan dc yang sama dengan perkalian tegangan peak input (2Vp, 3Vp, 4Vp, dst). Power supply ini digunakan pada peralatan bertegangan tinggi atau berarus rendah seperti catode-ray tube (tabung gambar pada pesawat TV, osiloskop dan display komputer).

Read More

RANGKAIAN-RANGKAIAN DIGITAL (DARLINGTON, AMPLIFIER, DAN REGULATOR)

Rangkaian-rangkaian digital adalah rangkaian yang menggunakan transistor sebagai switch. Rangkaian-rangkaian linear adalah rangkaian yang menggunakan transistor sebagai sumber arus. Penggerak LED dengan sumber arus transistor adalah salah satu contoh rangkaian linear. Contoh yang lain adalah penguat (amplifier), yaitu rangkaian yang menaikkan amplitudo sinyal. Gagasannya ialah memasukkan sinyal ac yang kecil ke dalam transistor dan mengeluarkan sinyal ac yang lebih besar dengan frekuensi yang sama. Penguat menjadi penting pada rangkaian-rangkaian radio, televisi, dan rangkaian komunikasi lainnya.

Darlington

Pada gambar 5.1 ditunjukkan suatu rangkaian penguat Darlington. Penguat Darlington ini didesain agar menghasilkan harga β yang jauh lebih besar. Kolektor kedua transistor dihubungkan, emitter pada transistor pertama mendrive basis transistor kedua. Karena itu β keseluruhan dari penguat Darlington dirumuskan:

β = β₁ . β₂

Keuntungan dari penguat Darlington adalah memiliki Zin (impedansi input) yang tinggi.

Penguatan tegangan keseluruhan dari penguat Darlington mendekati 1. Akibat utamanya adalah penambahan impedansi input yang sangat besar dan penurunan impedansi output secara drastis. Penguat Darlington digunakan untuk mengisolasi sumber dengan impedansi tinggi dari beban dengan impedansi rendah. Jika mencoba memnerikan suatu sinyal langsung dari suatu sumber dengan impedansi tinggi ke beban dengan impedansi rendah, maka sebagian besar dari tegangan ac tersebut akan hilang pada impedansi sumber tersebut. Dengan menambahkan penguat Darlington antara sumber dan beban tersebut, kita dapat mencegah kehilangan sinyal yang terlalu banyak dan sumber akan cukup konstan untuk sebagian besar tahanan beban.

Diferensiasi amplifier

Rangkaian dasar penguat diferensial tampak seperti gambar 5.2 yang terdiri atas dua transistor utama dengan 2 input dan output. Rangkaian tersebut simetris, transistor Q1 dan Q2 mempunyai karakteristik yang sama. Tahanan beban di kolektor juga sama. Besarnya tegangan output secara umum dapat dinyatakan dengan persamaan:

Dengan A adalah penguatan masing-masing transistor yang besarnya sama. Tegangan keluarannya akan nol jika kedua tegangan input memiliki besar yang sama.

Penguat diferensial merupakan rangkaian kopling langsung dari dua transistor dan menjadi tulang-punggung dari rangkaian-rangkiaian terpadu linear (linear integrated circuit). Salah satu alasan penguat diferensial demikian popular karena drift dapat dihilangkan, paling sedikit sebagian.

Regulator

Cara yang sederhana untuk menyempurnakan pengaturan tegangan adalah dengan regulator zener, seperti gambar 5.3. Kelebihan rangkaian tersebut dibandingkan dengan tanpa rangkaian common emitter adalah arus yang dihasilkan lebih besar.

Tegangan beban akan tetap sama dengan tegangan zener (dikurangi dengan tegangan yang jatuh pada transistor V_BE), kecilnya arus pada dioda zener dapat dibatasi oleh penguatan arus transistor (β).

V_out = V_Z - V_BE

Oleh karena itu, regulator tersebut dapat digunakan untuk menggerakkan beban yang membutuhkan arus besar.

Pengikut zener mempunyai dua keuntungan terhadap pengatur tegangan biasa. Pertama, arus dc yang melalui R_S merupakan penjumlahan dari arus zener dan arus basis yang besarnya sama dengan

I_B βdc = I_L

Karena arus basis ini jauh lebih kecil dari arus beban, kita dapat menggunakan dioda zener yang lebih kecil. Kedua, tegangan yang terdapat pada tegangan beban konstan karena mempunyai sumber konstan.

Dua keuntungan dari pengikut zener, beban yang berkurang pada zener dioda dan impedansi output yang lebih rendah, memungkinkan kita mendesain pengatur tegangan yang konstan. Ide dasarnya adalah bahwa pengikut emitter memperbesar kemampuan arus yang lewat pada pengatur zener. Pengikut zener memperbesar arus beban dengan factor bdc.

Read More

DASAR-DASAR TRANSISTOR

Transistor merupakan suatu piranti semikonduktor yang memiliki sifat khusus. Secara ekuivalensi transistor dapat dibandingkan dengan dua dioda yang dihubungkan dengan suatu konfigurasi. Walaupun sifat-sifat transistor tersebut tidak sama dengan dioda tersebut. Transistor ada yang UNIPOLAR (misal : FET), ada yang BIPOLAR (PNP dan NPN). Pada dasarnya transistor bekerja berdasarkan prinsip pengendalian arus kolektor dengan menggunakan arus basis.

Dengan kata lain arus basis mengalami penguatan hingga menjadi sebesar arus kolektor. Penguatan ini bergantung dari faktor penguatan dari masing-masing transistor (a dan b). Konfigurasi dasar dari rangkaian. Transistor sebagai penguat adalah Common Base, Common Emitor dan Common Collector. Sifat dari transistor yang akan saturasi pada nilai tegangan tertentu antara basis dan emitor menjadikan transistor dapat berfungsi sebagai saklar elektronik. Nilai penguatan arus dari Transistor dapat dinaikkan dengan menggunakan konfigurasi Darlington.

Sebuah transistor mempunyai 3 daerah yang sudah didoping yaitu emitter, basis dan kolektor.

Gambar 1. Transistor

Pn junction muncul diantara basis dan emitter, disebut sebagai dioda emitter. Sementara pn junction lainnya berada diantara basis dan kolektor, disebut dioda kolektor. Kedua junction ini ada pada transistor nonbias dan pada setiap dioda mempunyai potensial penghalang yang mendekati 0,7 V pada 15°C untuk transistor silikon.

Emitter didoping sangat padat/banyak sekali, sedangkan basis hanya didoping sedikit. Kolektor didoping tidak terlalu banyak dan tidak terlalu sedikit.

Pada operasi biasa, kita memberi tegangan maju pada dioda emitter dan tegangan mundur pada dioda kolektor. Emitter yang telah didoping sangat banyak, memiliki tugas untuk mendorong electron bebas masuk ke basis. Sedangkan basis bertugas melewatkan sebagian besar elektron ke kolektor. Kolektor sesuai dengan namanya mengoleksi elektron-elektron tersebut. Karena itu arus pada kolektor, besarnya hampir sama dengan besarnya arus emitter. Arus basis biasanya kurang dari 5% arus emitter.

Telah disebutkan diatas ada transistor yang bipolar yaitu PNP dan NPN. Transistor npn mempunyai daerah p yang berada diantara dua daerah n. Sementara transistor pnp mempunyai daerah n yang berda diantara dua daerah p.

                                      (a)                                                       (b)

Gambar 2. Tiga arus transistor, (a) Aliran arus konvesional; (b) Aliran elektron

Gambar diatas menjelaskan mengenai arah arus yang melewati transistor. Ada aliran arus konvensional dan aliran elektron yang berlawanan arahnya seperti terlihat pada gambar diatas. Ada tiga jenis arus yang melewati transistor yaitu arus emitter I_E, arus basis I_B dan arus kolektor I_C. Hubungan antara ketiga arus tersebut adalah:

I_E,= I_C. + I_B

Akan tetapi karena arus basis sangat kecil maka arus kolektor mendekati nilai arus emitter:

I_C. = I_E,

Dan arus basis sangat kecil sekali dibanding arus kolektor:

I_B << I_C.

Pada transistor terdapat penguat arus yang disebut beta dc (b_dc). Penguat arus diartikan sebagai perbandingan antara arus dc kolektor dan arus dc basis:

Untuk transistor yang mempunyai daya rendah (dibawah 1 W), penguat arus biasanya bernilai dari 100 sampai 300. Transistor dengan daya tinggi (diatas 1 W) biasanya mempunyai penguat arus sebesar 20 sampai 100.

Transistor memiliki daerah aktif, daerah jenuh, daerah cut off serta daerah breakdown. Daerah aktif digunakan pada penguatan linear, sedang daerah jenuh dan cut off digunakan pada rangkaian digital.

Transistor memiliki daerah pengoperasian tegangan, arus dan daya maksimum. Transistor untuk sinyal kecil, dapat membuang daya 1 W atau kurang, sedang transistor daya akan membuang daya lebih dari 1 W. Harga-harga karakteristik transistor dapat berubah karena faktor suhu. Daya maksimum akan berkurang seiring dengan pertambahan suhu.

Read More

TRANSISTOR JFET (junction FET) dan MOSFET (metal-oxide semiconductor FET)

Field-Effect Transistor (FET) adalah piranti tiga-terminal seperti halnya transistor BJT. Perbedaan utama dari kedua transistor ini  adalah bahwa BJT adalah piranti yang dikontrol oleh arus, sedangkan FET adalah piranti yang dikontrol tegangan.

      Karakteristik

      High Input Impedance

      Temperature Stable

      Small size -> Integrated Circuit

      Type

      Junction FET

      MOSFET (Metal Oxide Semikonductor FET)

Transistor yang telah kita pelajari sebelumnya adalah transistor bipolar. Ada jenis transistor lain yaitu transistor efek-medan (FET). Komponen ini dinamakan komponen unipolar karena hanya dipengaruhi oleh satu jenis pembawa muatan.

Umumnya untuk aplikasi linear,  transistor bipolar lebih disukai, namun transistor FET sering digunakan juga karena memiliki impedansi input (input impedance) yang sangat besar. Terutama jika digunakan sebagai switch, FET lebih baik karena resistansi dan disipasi dayanya yang kecil.   

Ada dua jenis transistor FET yaitu JFET (junction FET) dan MOSFET (metal-oxide semiconductor FET).  Pada dasarnya kedua jenis transistor memiliki prinsip kerja yang sama, namun tetap ada perbedaan yang mendasar pada struktur dan karakteristiknya

1.   JFET

Transistor JFET dibagi menjadi dua, yaitu JFET kanal-n dan kanal-p. Kanal n dibuat dari bahan semikonduktor tipe n dan kanal p dibuat dari semikonduktor tipe p. Ujung atas dinamakan Drain dan ujung bawah dinamakan Source. Pada kedua sisi kiri dan kanan terdapat implant semikonduktor yang berbeda tipe. Terminal  kedua sisi implant ini terhubung satu dengan lainnya secara internal dan dinamakan Gate.

Istilah field efect (efek medan listrik) sendiri berasal dari prinsip kerja transistor ini yang berkenaan dengan lapisan deplesi (depletion layer). Lapisan ini terbentuk antara semikonduktor tipe n dan tipe p, karena bergabungnya elektron dan hole di sekitar daerah perbatasan. Sama seperti medan listrik, lapisan deplesi ini bisa membesar atau mengecil tergantung dari tegangan antara gate dengan source.         

                          

                                                                                                     

          Gambar 7.1 a. JFET kanal-n                               Gambar 7.1 b. JFET kanal-p

Untuk mengambarkan JFET  pada skema rangkaian elektronika, bisa dipakai simbol seperti pada gambar di bawah berikut. 

Simbol komponen (a)JFET-n (b)JFET-p

Karena struktur yang sama, terminal drain dan source untuk aplikasi frekuensi rendah dapat dibolak balik. Namun biasanya tidak demikian untuk aplikasi frekuensi tinggi. Umumnya JFET untuk aplikasi frekuensi tinggi memperhitungkan kapasitansi bahan antara gate dengan drain dan juga antara gate dengan source. Dalam pembuatan JFET, umumnya ada perbedaan kapasitansi gate terhadap drain dan antara gate dengan source.

JFET kanal-n memiliki daerah p sebagai gate, dan daerah n sebagai drain dan source. Sumber tegangan akan mengalirkan electron bebas dari source ke drain. Tegangan gate akan mengontrol lebar kanal dimana electron mengalir sehingga dapat mengatur besarnya aliran ini.

Transistor JFET kanal-p memiliki prinsip yang sama dengan JFET kanal-n, hanya saja kanal yang digunakan adalah semikonduktor tipe p. Dengan demikian polaritas tegangan dan arah arus berlawanan jika dibandingkan dengan transistor JFET kanal-n. Simbol rangkaian untuk tipe p juga sama, hanya saja dengan arah panah yang berbeda.

Karakteristik tegangan masukan gate terhadap source dan tegangan keluaran pada drain dan source pada beberapa JFET dapat diilustrasikan pada gambar berikut:

  

Gambar 7.2. Peta tegangan masukan/keluaran JFET dan transistor

Arus drain (I_D) yang melalui JFET dikontrol oleh tegangan antara gate dan source (V_GS). Pengontrolan I_D dilakukan dengan memberikan tegangan reverse antara gate dan source. Pembawa muatan negative pada kanal-n akan bergerak menuju terminal positif V_DD. Dan electron dari terminal negative V_DD akan bergerak menuju source ke kanal-n. Dengan menambah tegangan V_GG maka lebar kanal-n akan menyempit hingga tidak ada arus yang lewat.

2. MOSFET

Mirip seperti JFET, transistor MOSFET (Metal oxide FET) memiliki drain, source dan gate. Namun perbedaannya gate terisolasi oleh suatu bahan oksida. Gate sendiri terbuat dari bahan metal seperti aluminium. Oleh karena itulah transistor ini dinamakan metal-oxide. Karena gate yang terisolasi, sering jenis transistor ini disebut juga IGFET yaitu insulated-gate FET.

Ada dua jenis MOSFET, yang pertama jenis depletion-enhancement dan yang kedua jenis enhancement.  Jenis MOSFET yang kedua adalah komponen utama dari gerbang logika dalam bentuk IC (integrated circuit), uC (micro controller) dan uP (micro processor) yang tidak lain adalah komponen utama dari komputer modern saat ini.

            MOSFET tersusun dari material tipe n, sebagian daerah p, dan gate yang teisolasi. Daerah p dinamakan substrat.

                                                                                                                                                                   Gambar 7.3. Konstruksi MOSFET tipe (a) enhancement dan (b) depletion-enhancement

Enhancement-Type MOSFET

           

           

            Sumber tegangan akan mengalirkan electron bebas dari source ke drain. Aliran electron ini mengalir melalui sebelah kiri/substrat P. Tegangan gate akan mengontrol lebar kanal dimana electron mengalir.

Garis putus-putus pada simbol transistor MOSFET menunjukkan struktur transistor yang terdiri drain, source dan subtrat serta gate yang terisolasi. Arah panah pada subtrat menunjukkan type lapisan yang terbentuk pada subtrat ketika transistor ON sekaligus menunjukkan type kanal transistor tersebut.

Simbol MOSFET

Simbol di atas dapat digunakan untuk mengambarkan D-MOSFET maupun E-MOSFET.

3. MENGUKUR I_DSS DAN VP

            V_GS = 0 ; V_DS (+)

I_DSS adalah arus drain-source maksimum (saturasi)  Pada V_GS = 0 dan V_DS > |V_P|

Vp = Tegangan Pinch-off

V_GS < 0

Nilai VGS yang menghasilkan ID=0 adalah VGS-VP, dimana VP (-) untuk n-channel JFET

            Parameter yang penting dari sebuah JFET adalah I_DSS dan V_P. Dengan mengetahui kedua parameter ini kita dapat memperkirakan karakteristik transfer dari hubungan I_D dan I_DS.

            Karakteristik Transfer (Karakteristik ini tidak dipengaruhi oleh rangkaian)

             Percobaan berikut ini kita akan mengukur I_DSS dan V_P tanpa menggunakan curve tracer.

            Perhatikan gambar 7.4. Bila V_DD diubah dari 0 hingga 15 V, maka arus yang terbaca pada amperemeter juga berubah membesar. Mula-mula cepat lalu lama-kelamaan akan menunjukkan harga yang tetap walau V_DD terus diperbesar. Inilah kira-kira arus I_DSS.

            Karakteristik transver (transconductance) memberikan hubungan antara I_D dan I_DS. Perhatikan gambar 7.5. Jika wiper potensiometer berada di B maka V_GS=0 dan aros I_D=I_DSS. Bila wiper kita gerakkan ke A maka pada suatu saat harga V_GS tertentu akan menunjukkan I_D=0. Harga V_GS dimana I_D mulai=0 adalah tegangan pinch off (V_P).

Read More